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Albert Fert, Médaille d’or 2003 du CNRS

Figure 4

De la physique fondamentale des spins à la technologie de pointe appliquée au quotidien


En haut : Cellules mémoires de MRAM constituées d’une jonction tunnel magnétique (MTJ). Les états "0" et "1" des cellules correspondent respectivement aux configurations parallèle et antiparallèle des moments magnétiques des électrodes de la MTJ (états de résistance faible et forte).


En bas : Schéma d’une MRAM construite avec des MTJ connectées à un réseau de lignes conductrices appelées « bit » line et « world » line. Ces lignes servent soit à commuter l’état d’une cellule (écriture), soit à lire son état en utilisant l’effet TMR.

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