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Yannick Klein - Institut de Minéralogie et Physique des Milieux Condensés, UMR 7590

Contrôle des propriétés électroniques des dichalcogénures par la synthèse sous conditions extrêmes de pression et température


Le caractère 2D des dichalcogénures MX2 (M = métal de transition et X = S ou Se) favorise des instabilités électroniques, d’où leur diagramme de phases complexe (états isolant, métallique, supraconducteur et ondes de densité de charge). Récemment, il a été montré que la synthèse hors-équilibre, par la technique des hautes pressions, pouvait stabiliser la phase supraconductrice de 1T-TaS2 au détriment de l’onde de densité de charge [1]. La possibilité qu’a le soufre de céder plus ou moins d’électrons en fonction de la distance M-S, combinée à la souplesse de cette liaison, nous permet d’étudier ex-situ le diagramme de phases des dichalcogénures et de contrôler la force des corrélations électroniques. En plus des résultats concernant 1T-TaS2, d’autres exemples de tailoring des propriétés électroniques des dichalcogénures seront présentés.

 

[1] Stabilization of Superconductivity in Pure and C-Intercalated 1T-TaS2 Synthesised Under High Pressure. A. Sellam et al., Advances in Science and Technology 75, 173 (2010).

 

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